99.99%三氧化二鎵（Ga2O3)
1，技術(shù)對接：電弧法加熱，瞬間使鎵氣化，氣化后的鎵蒸氣與過量的氧氣CVD化學氣相沉積而成:4Ga+ 3O2 = 2Ga2O3,不含任何酸根離子；如：氯離子，硝酸根離子；
2，檢驗： GDMS （99.99%純度：所有的雜質(zhì)元素低于100ppm）
XRD：（主峰完全對稱）；激光粒度分析儀：（粒徑：D50<10微米）；
3，服務(wù)：提供MSDS及實用的防護措施；提供材料的應(yīng)用解決方案；
99.99%三氧化二鎵（Ga2O3)
1，技術(shù)對接：電弧法加熱，瞬間使鎵氣化，氣化后的鎵蒸氣與過量的氧氣CVD化學氣相沉積而成:4Ga+ 3O2 = 2Ga2O3,不含任何酸根離子；如：氯離子，硝酸根離子；
2，檢驗： GDMS （99.99%純度：所有的雜質(zhì)元素低于100ppm）
XRD：（主峰完全對稱）；激光粒度分析儀：（粒徑：D50<10微米）；
3，服務(wù)：提供MSDS及實用的防護措施；提供材料的應(yīng)用解決方案；
4，性狀：α-Ga2O3為六方晶型，β-Ga2O3屬于單斜晶型;
5，純度：99.99%-99.999%；
6，外觀：白色粉末；
7，包裝：瓶裝：1Kg/瓶，外加鋁復合薄膜真空包裝;
8，應(yīng)用：TGG單晶，光電子器件，紫外線濾光片等;
